什么是mos管的靜態參數,靜態特性？詳解-KIA MOS管

mos管的靜態參數

V(BR)DSS：

漏源擊穿電壓。（D端-S端所能承受電壓值，受制于內藏二極管的耐壓，條件：VGS=0，ID=250uA時，與溫度成正比）

是指柵源電壓 VGS 為 0 時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS 。它具有正溫度特性，故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源擊穿電壓的溫度系數,一般為 0.1V/ ℃。

RDS(on) ：

在特定的 VGS (一般為 10V,4.5V,2.5V )、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗。（量測方法：GS給電壓，DS端給電流ID，量測VDS與ID，通過歐姆定律算出電阻：內阻）

它是一個非常重要的參數，決定了 MOSFET 導通時的DC消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。

VGS(th) ：

開啟電壓(閥值電壓)。柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。

當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨著溫度的上升而有所降低。

溫度特性可以看出VGS(th)隨著溫度的升高有下降趨勢。這表明當溫度上升時，VGS(th)變低，就是更低的VGS流過更多的ID。當然，也就是說，這與ID-VGS的溫度特性一致。

另外，VGS(th)可用于推算Tj。VGS(th)的溫度特性中有直線性，因此可除以系數，根據VGS(th)的變化量計算溫度上升。

VFSD：

內嵌二極管的正向導通壓降，VFSD=VS-VD。

（測量方法：1.VGS=0V時，量測壓降；2.G腳Open時，量測壓降；）

IDSS：

指飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓VGS=0時的漏源電流，DS漏電流。（定義：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。）

方法：柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流。一般在納安級.。

IGSS：

指柵漏電（GS漏電流），測量的時候通常其他電極都是接地的，只在柵上加一個特定的電壓，這個值越小越好，越小代表柵氧的質量越好。由于 MOSFET 輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級。

mos管的靜態特性

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態。

工作特性如下：

uGS開啟電壓UT:MOS管工作在截止區，漏源電流iDS基本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態。

uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在導通區，漏源電流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS《RD,則uDS≈0V,MOS管處于“接通”狀態。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助

免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。