?15n50參數及代換,15n50場效應管參數,KNX6650A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-20
耗散功率（PD）：48 W
漏極電流（ID）：15 A
漏極和源極電壓（VDSS）：500 V
漏極和源極通態電阻（RDS(on)）：0.35 Ω
KNX6650A溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。
高壓MOS管KNX6650A采用專有平面新技術，參數為500V 15A，RDS（ON），典型值=0.33Ω@VGS=10V，具有低柵電荷最小開關損耗、快速恢復體二極管等特性，能夠替代仙童的15n50場效應管，性能卓越、性價比高；特別適用于開關電源、LED驅動等領域，能有效地控制電流和電壓，保證電源的穩定和可靠性，KNX6650A封裝形式：TO-220、TO-220F。
漏源極電壓：500V
柵極到源極電壓：±30V
連續漏電電流：15A
單脈沖雪崩能量：1000MJ
最大功耗：140/60W
漏源擊穿電壓：500V
漏源漏電流：100μA
輸入電容：2148pF
反向恢復時間：520ns
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