irf740場效應管參數代換,irf740引腳圖,KNX6140A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-21
最大漏極-源極電壓（VDS）：400V
最大漏極電流（ID）：10A
最大功率耗散（PD）：110W
靜態漏極-源極電阻（RDS(on)）：0.55Ω
門極-源極電壓（VGS）范圍：±20V
最大導通電阻溫度系數（dRDS(on)/dT）：0.035Ω/℃
KNX6140A場效應管采用專有平面新技術，漏源擊穿電壓400V，漏極電流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代換irf740型號使用，具有較低的導通電阻、優越的開關性能、極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導通損耗。
KNX6140A 400V 10A場效應管專為高壓、高速功率開關應用而設計，廣泛應用于鎮流器、照明、交直流變換器等領域，封裝形式：TO-220，便于安裝和使用；KIA半導體國產原廠現貨直銷。
漏源電壓：400V
漏極電流10A
門-源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量：650mJ
峰值二極管恢復dv/dt：5.0V/ns
功耗：140/45W
輸入電容：1254pF
輸出電容：150pF
反向轉移電容：21pF
開通延遲時間：14nS
上升時間：25nS
關斷延遲時間：44nS
下降時間：28nS
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>