IRF640場效應(yīng)管參數(shù),代換,KIA6720N中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-12-20
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
正向跨導(dǎo)-最小值: 11 S
下降時間: 25 ns
上升時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
KIA6720N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代換IRF640型號使用，封裝形式：TO-220，低熱阻和低成本，便于安裝和使用。
KIA6720N 200V 18A場效應(yīng)管符合RoHS、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化、峰值電流與脈沖寬度曲線，高效穩(wěn)定，廣泛應(yīng)用于逆變器、CRT、電視/監(jiān)視器等領(lǐng)域。
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20A
漏電流連續(xù)：18A
脈沖漏極電流：72A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：156W
熱電阻：62℃/V
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：2V
輸入電容：1256PF
輸出電容：158PF
上升時間：33ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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