寄生電容詳解,寄生電容怎么消除-KIA MOS管

所有的電路元件，例如電感元件、二極管和晶體管都具有內部電容，這些電容將使器件的性能與理想情況有所不同。此外，在任意兩段導體之間均有非零的電容，這種電容在高頻情況中體現得尤為突出，因此在印制電路板設計中必須予以考慮。

寄生電容

寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。

在計算中我們要考慮進去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。

寄生電容

寄生電容（parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或電路模塊之間，由于相互靠近所形成的電容，寄生電容是寄生元件，多半是不可避免的，同時經常是設計時不希望得到的電容特性。寄生電容常常也會造成雜散振蕩。

消除寄生電容的方法

1、增加初始電容值法。采用增加初始電容值的方法可以使寄生電容相對電容傳感器的電容量減小。由公式C0 =

寄生電容

可知，采用減小極片或極筒間的間距d0 ，如平板式間距可減小為0.2 毫米，圓筒式間距可減小為0.15毫米；或在兩電極之間覆蓋一層玻璃介質，用以提高相對介電常數，通過實驗發現傳感器的初始電容量C0不僅顯著提高了，同時也防止了過載時兩電極之間的短路；

另外，增加工作面積A或工作長度也可增加初始電容值C0。不過，這種方法要受到加工工藝和裝配工藝、精度、示值范圍、擊穿電壓等的限制，一般電容的變化值在10-3～103pF之間。

2、采用“驅動電纜”技術，減小寄生電容。

如圖1所示：在壓電傳感器和放大器A 之間采用雙層屏蔽電纜，并接入增益為1 的驅動放大器，這種接法可使得內屏蔽與芯線等電位，進而消除了芯線對內屏蔽的容性漏電，克服了寄生電容的影響，而內外層之間的電容Cx 變成了驅動放大器的負載，電容傳感器由于受幾何尺寸的限制，其容量都是很小的，一般僅幾個pF到幾十pF。

因C太小，故容抗XC=1/ωc很大，為高阻抗元件；所以，驅動放大器可以看成是一個輸入阻抗很高，且具有容性負載，放大倍數為1 的同相放大器。

寄生電容