HY3210場效應管代換2910A HY3210參數(shù) 引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-13
MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內(nèi)阻：5Ω，采用超高密度電池設計、超低導通電阻，低開關(guān)損耗：開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，高效穩(wěn)定。適用于無刷電機、開關(guān)電源同步整流等。封裝形式：TO-263、TO-220、TO-3P。KNX2910A型號產(chǎn)品可完美替代hy3210使用，下面是HY3210和KNX2910A兩個型號的參數(shù)對比、封裝、規(guī)格書等詳情。
SMPS的高效同步整流
高速功率轉(zhuǎn)換
RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V
超高密度電池設計
超低導通電阻
100%雪崩測試
無鉛環(huán)保器件(符合RoHS標準)
廣東可易亞半導體科技有限公司（KIA半導體）是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。KIA半導體研發(fā)中心來自韓國、臺灣，擁有超一流的團隊，有著16年的研發(fā)經(jīng)驗，產(chǎn)品設計方面也擁有著35項知識產(chǎn)權(quán)。
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
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