3406場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖 60V80A場效應(yīng)管-KIA MOS管

MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)晶體管。改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，以最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能。廣泛應(yīng)用于二次同步整流器、逆變器系統(tǒng)的功率管理、無刷電機、LED電源等產(chǎn)品。封裝形式：DFN5*6、TO-252。

3406場效應(yīng)管參數(shù) 60V80A-特點

80A 60V，RDS（ON）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V

SGT mosfet

低柵極電荷

低Crss

快速切換

改進(jìn)的dv/dt功能

3406場效應(yīng)管參數(shù) 60V80A-封裝

3406場效應(yīng)管,參數(shù),60V80A

3406場效應(yīng)管參數(shù) 60V80A-參數(shù)

3406場效應(yīng)管,參數(shù),60V80A

KIA半導(dǎo)體MOSFET場效應(yīng)管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。來電咨詢，免費送樣！

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