3406場效應管參數(shù)引腳圖 60V80A場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-12
MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOS場效應晶體管。改進的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，以最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關(guān)性能。廣泛應用于二次同步整流器、逆變器系統(tǒng)的功率管理、無刷電機、LED電源等產(chǎn)品。封裝形式：DFN5*6、TO-252。
80A 60V，RDS（ON）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V
SGT mosfet
低柵極電荷
低Crss
快速切換
改進的dv/dt功能
KIA半導體MOSFET場效應管采用優(yōu)質(zhì)芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。來電咨詢，免費送樣！
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