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1500V大功率場效應管 48150A?高壓mos管參數-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-31 

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1500V大功率場效應管 48150A高壓mos管參數-KIA MOS管


大功率場效應管KNX48150A:漏源擊穿電壓高達1500V,漏極電流最大值為9A;RDS (on) = 2.8mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗,低反向傳輸電容,開關速度快等優點,適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。封裝形式:TO-247;腳位排列位GDS。


1500V 場效應管 48150A-特點

RDS(ON),典型=2.8Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管


1500V 場效應管 48150A-應用

適配器

充電器

SMPS備用電源



1500V 場效應管 48150A-封裝圖

1500V 場效應管 48150A

1500V 場效應管 48150A-參數

1500V 場效應管 48150A

1500V 場效應管 48150A


KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業,竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發創新,為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。

1500V 場效應管 48150A


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