1200v 3a高壓mos管,電源應用,42120A引腳圖參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-30
KNX64100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1200V，漏極電流最大值為3A；RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優點，適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。
符合RoHS標準
RDS（ON），典型=7Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
適配器
充電器
SMPS備用電源
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