【電路設(shè)計】MOS管電容近似計算方法-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-05-08
Cox的理論計算方式
在電路設(shè)計零極點計算中，我們經(jīng)常需要對MOS管的柵電容進(jìn)行理論估算，柵電容Cgg=Cox*W*L，W和L我們可以直接從器件參數(shù)得到，接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值。
Cox計算方式
概念：
（1）介電常數(shù)：
它是表示絕緣能力特性的一個系數(shù)，符號為ε，單位為F/m（法/米）
（2）相對介電常數(shù)：
某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值，稱為該電介質(zhì)的相對介電常數(shù)，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數(shù)；
其中真空介電常數(shù)ε0=8.854E-12F/m（記?。?，SIO2的相對介電常數(shù)為εr=3.9（記?。許IO2的介電常數(shù)ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m（記?。?/span>
（3）Cox計算
Cox是介質(zhì)的介電常數(shù)ε與tox的比值，tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工藝為例：
在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介電常數(shù)ε=3.9×8.854E-12F/m，
Coxn=ε/toxn=3fF/um2；
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
可見PCH5的Cox比NCH5略大，數(shù)值幾乎一致，可按照3fF/um2進(jìn)行電容計算
比如：W/L=100u:0.65u，m=200的PCH5，柵電容近似計算為：39pF
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