PWM驅(qū)動(dòng)MOS管開關(guān)電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-02-02
IRF540就是很常用的MOS管了，特殊負(fù)載如H橋里面的雙MOS驅(qū)動(dòng)。有專用的驅(qū)動(dòng)芯片如IR2103
如果只是單個(gè)MOS管的普通驅(qū)動(dòng)方式像這種增強(qiáng)型NMOS管直接加一個(gè)電阻限流即可。由于MOS管內(nèi)部有寄生電容有時(shí)候?yàn)榱思铀匐娙莘烹姡瑫?huì)在限流電阻反向并聯(lián)一個(gè)二極管。
用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路和用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路
針對NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡單分析：
Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個(gè)電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱，用來實(shí)現(xiàn)隔離，同時(shí)確保兩只驅(qū)動(dòng)管Q3和Q4不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。
R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn)，通過改變這個(gè)基準(zhǔn)，可以讓電路工作在PWM信號(hào)波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅(qū)動(dòng)電流，由于導(dǎo)通的時(shí)候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個(gè)Vce的壓降，這個(gè)壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進(jìn)行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)烈的負(fù)反饋，從而把gate電壓限制在一個(gè)有限的數(shù)值。這個(gè)數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。
最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時(shí)候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。
這個(gè)電路提供了如下的特性：
1，用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。
3，gate電壓的峰值限制
4，輸入和輸出的電流限制
5，通過使用合適的電阻，可以達(dá)到很低的功耗。
6，PWM信號(hào)反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過前置一個(gè)反相器來解決。
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