高端MOS驅動：分立元件搭建自舉電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-26
眾所周知MOS是電壓型驅動，只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后，MOS才會導通（這里指NMOS）。
但是如下圖，用12V給G極，但是由于R7流過電流的時候存在壓降（歐姆定律）。導致S極被抬高。所以給到MOS的驅動電壓是G-S=12-8.42=3.58V。
在不是低壓MOS中，一般datasheet建議使用10V,或者12V來進行驅動，雖然3.58V也能進行導通，但是導通電阻Rds會比用10V驅動時大很多。帶來MOS發熱的問題。
解決的辦法有很多，比如可以用一個PMOS作為高端驅動。但是由于工藝的問題，PMOS作為高端MOS，存在性能差，想達到相同的性能價格又貴很多的問題。
這時自舉電路就應運而生了。如果有這么一個電路，能給G極產生一直比S極大10V的電路，即使這個電壓比電源電壓還要高。
基本的概念有了，就可以用真實的電路圖代替進行分析。
由于BUCK在MOS導通階段S極是浮地的。所以必須加上自舉電路來驅動。
具體分析如下：
XFG1信號發生器高電平時，Q2導通，由于Q2導通，給Q1的b極提供回路，Q1導通，經過D2和R2給MOS進行充電（Q4的b極是高電平，因為R3流過電流形成壓降，所以Q4也是關閉的）。MOS導通。
XFG1信號發送器低電平時，Q2關閉，由于Q2關閉，Q1的b極沒有回路，Q1關閉，這時Q4的b極有R3這個回路，所以Q4導通，MOS的G極放電。MOS關閉。
仿真了一下在100K下的波形，綠色為MOS的G極到S極的波形，紅色是MOS的S到地的波形。就仿真的結果來看自舉的部分還是不錯的。
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