場效應管主要參數是什么？電子元器件主要參數是什么？
信息來源：本站 日期：2017-07-21
通常將剛剛形成導電溝道、出現漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。
開啟電壓UT是MOS增強型管的參數。當柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時，場效應管不能導通。
當UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當UGS＝UP時，漏極電流為零。
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應管發生預夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應管所能輸出的最大電流。
直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。
結型場效應管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場效應管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數。gm相當于三極管的hFE。
最大漏極功耗PD＝UDSID，相當于三極管的PCM。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
<ul id="ou8ay"></ul>