晶體管的驅動 MOSFET 管
信息來源：本站 日期：2017-05-17
MOSFET管柵極驅動電路
如上所述 ，柵極驅動電路必須能輸出電流 ，即成為 “ 源”。同時，為了提供柵極反向電壓，MOS驅動電路必須能從柵極抽取電流 ，即成為 “ 匯”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驅動電路，不能同時抽取和輸出電流。即不 能同時成為漏極導通和關斷的 “ 源” 和 “ 匯”。圖 9.6 ( a ） 中的電路說明了這一點。
SG1524 型 PWM 芯片輸出級由發射極和集電極都懸空的晶體管構成 。當輸出級的晶體管 導通 ，它能從集電極抽取或從發射極輸出 200mA 的電流。當利用晶體管的發射極驅動 MOSFET 管的柵極時 ，發射極電阻能從柵極抽取電流 ，降低柵極電壓來關斷 MOSFET 管。 通常當片內輸出晶體管導通時 ，功率晶體管也要立即導通 。圖9.6( b ）給出了一個 N 型MOSFET 管的驅動電路 ，它的柵極由 SG1524 型 PWM 芯片的發射極驅動 。圖 9.6 C b ） 中的驅動電路能提供 200mA 的電流給柵極，快速地導通 MOSFET 管。所以， 如 9.2.2 節所述 ，50ns 內需要 0.924A 的電流去驅動 MTM7N45 管柵極電壓使之上升到 IOV 。
可以推導 ，SG1524 型 PWM 芯片輸出 200mA 電流時，柵極電壓從 ov 上升到 IOV 只需
( 0.924/0.2 ） ×50=231ns 。又如 9.2.3 節所述 ，漏極電流上升時間對應于柵極電壓從 2.5V 上升 到 sv 所用的上升時間 ，漏極電流上升時間就 只有 （ 2.5+10 ） ×231=58肘。初始的 2.5V 柵極電 壓上升到闊值電壓只產生了 58ns 的延遲。這雖然降低了最大開關頻率 ，但它不會引起任何開 關損耗。
柵極電壓從 ov 到 IOV 的上升時間 C 231ns ） 己經足夠短了，但在圖9.6 C b ） 所示電路中 ， 因為沒有恒定電流給電容放電 ，所以柵極電壓下降時間只取決于發射極電阻 Re 和柵極輸入電壓。
在圖 9.6 C b ） 中，當MOS管驅動芯片內輸出晶體管的基極為低電平時 ，輸出晶體管發射極的電壓由 于 MOSFET 管的大輸入電容而依然維持為高電平 。輸出晶體管關斷后，只剩下輸出發射極電 阻給 MOSFET 管輸入電容提供放電 回路。對應的電容值 （ 9.2.2 節） 為輸入電容加上米勒電 容，即 1800+(180+ 10）×150=4500pF。
這樣 ，對于標稱值為 2000.的發射極電阻，MOSFET 管柵極電壓下降時間為 3RI C=3× 200×4500=2.70陽。如果開關頻率達到 IOOkHz 以上，則 2.70陽的柵極電壓下降時間顯然太長 了。這是由于存在 MOSFET 管柵極輸入電容的緣故 ，因此就需要用獨立的晶體管來驅動 MOSFET 管，它可以輸出或吸收 200 400mA 的電流。
就 SG1524 型 PWM 芯片來說 ，它擁有輸出或吸收電流的能力 ，但是不能同時應用 。大多數情況下 ，簡單而實用的 MOSFET 管的柵極驅動電路就是使用 NPN-PNP 圖騰柱式射極跟隨器。如圖 8.17 所示 ，晶體管 Q2 和 Q3 分別是 2N2222A 和 2N2907A ，采用 T0-18 封裝，價 格不超過十美分 。它們可以輸出或抽取 800mA 的電流，上升時間約為 60ns 。圖騰柱上方的 晶體管可以用 PWM 芯片輸出級的晶體管代替 ，如圖9.6( c ）所示 。雖然它的驅動能力 OOmA ) 比 2N2222A 管小，但一般情況下己經足夠了 。
第二代 PWM 芯片，如 Unitrode 公司生產的 UC1525A［坷 ，具有內置圖騰柱結構 ，它由 NPN 型反相器疊加 NPN 型射極跟隨器組成 。如圖 9.7 ( a ） 所示，射極跟隨器和反相器由相 位相差 180。的信號驅動，交錯導通。通過使用具有兩個互相隔離的次級的變壓器（ 圖 9.7( b) ) 驅動具有不同直流電壓水平的半橋或全橋電路的上 F兩只晶體管。類似地 ，推挽電路也可以 驅動具有相同直流電壓的 MOSFET 管。
在圖 9.7 C b ） 中，變壓器初級連接到 PWM 芯片的 11 腳和 14 腳。在半周期的導通時間 內，11 腳相對于 14 腳為正 ，并輸出 200mA 電流。11 腳電位對地約為 ＋（Vh 2)V, 14 腳電位 對地約為＋2V 。在半周期的死區時間內 ，11 腳和 14 腳都對地短路 。在下半周期 ，11 腳和 14 腳的極性顛倒 。若初級電壓為士 lOV ，則供電電壓 vh 應約為 14V。
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