R2限流電阻：保護(hù)IO口，防止過(guò)流過(guò)高電壓燒壞IO口，對(duì)靜電或者一些高壓脈沖有吸...R2限流電阻：保護(hù)IO口，防止過(guò)流過(guò)高電壓燒壞IO口，對(duì)靜電或者一些高壓脈沖有吸收作用。(個(gè)人建議加上)R2的取值100歐~10k不等，如果有設(shè)置內(nèi)部上拉，該值不能太大...
場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件，其漏極電流i的大小是通過(guò)柵源電壓u進(jìn)行控制的，其漏...場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件，其漏極電流i的大小是通過(guò)柵源電壓u進(jìn)行控制的，其漏極輸出回路可等效為受控于輸入電壓 ugs 的恒流源 gm * ugs。由于在低頻段輸入電阻 ...
為了保證在有輸入信號(hào)時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管始終工作在放大區(qū)(恒流區(qū)),同晶體管一樣，場(chǎng)...為了保證在有輸入信號(hào)時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管始終工作在放大區(qū)(恒流區(qū)),同晶體管一樣，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路也要建立合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。所不同的是，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，因...
測(cè)試MOS管GS波形有時(shí)會(huì)看到下圖中的這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出...測(cè)試MOS管GS波形有時(shí)會(huì)看到下圖中的這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，一旦到了MOS管的G極就出問(wèn)題了，有振鈴，這個(gè)振鈴小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過(guò)關(guān)，但是有時(shí)...
振鈴是怎么產(chǎn)生的，知道了這點(diǎn)我們就知道采取什么措施來(lái)避免運(yùn)放電路的振鈴的產(chǎn)...振鈴是怎么產(chǎn)生的，知道了這點(diǎn)我們就知道采取什么措施來(lái)避免運(yùn)放電路的振鈴的產(chǎn)生。先來(lái)看一個(gè)運(yùn)算放大電路的例子，如下圖所示：為一個(gè)同相比例放大電路，信號(hào)源頻...
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