減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I...減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護(hù)IC,添加R25之后，可能有效的...
(1) 用邏輯圖寫表達(dá)式：可以從輸入到輸出逐級推導(dǎo)，寫出電路輸出端的邏輯表達(dá)式...(1) 用邏輯圖寫表達(dá)式：可以從輸入到輸出逐級推導(dǎo)，寫出電路輸出端的邏輯表達(dá)式。 (2) 化簡表達(dá)式：在需要時，用分式化簡法或者卡諾圖化簡法將邏輯表達(dá)式化為最簡...
當(dāng)5V沒接入時，PMOS管的柵極通過電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）...當(dāng)5V沒接入時，PMOS管的柵極通過電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3~3.5）V，此時Ugs為（-3.5）V到（-...
電源正接，寄生二極管導(dǎo)通，S極電壓升高，VGS ≈ -Vin，從而PMOS開啟，一般導(dǎo)通...電源正接，寄生二極管導(dǎo)通，S極電壓升高，VGS ≈ -Vin，從而PMOS開啟，一般導(dǎo)通電阻在數(shù)十mΩ，導(dǎo)通損耗遠(yuǎn)低于二極管。
防反接這個其實就是利用了左下角這個NMOS管的特性，對于NMOS如果我們給上面這個...防反接這個其實就是利用了左下角這個NMOS管的特性，對于NMOS如果我們給上面這個圖加上反向的電壓是不導(dǎo)通的。（NMOS導(dǎo)通的條件是G極接高電位，另外上圖并不是常用...
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