IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極...IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有功...
下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個(gè)MOS管組合控制電路，由一個(gè)增強(qiáng)型...下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個(gè)MOS管組合控制電路，由一個(gè)增強(qiáng)型NMOS管和一個(gè)增強(qiáng)型PMOS管組成，IO_CON是接到單片機(jī)(單片機(jī)供電3.3V)的IO口上，單片...
通常我們的電子產(chǎn)品，為防止用戶將正負(fù)極接反，會(huì)對接口做防反接保護(hù)。比如接口...通常我們的電子產(chǎn)品，為防止用戶將正負(fù)極接反，會(huì)對接口做防反接保護(hù)。比如接口做成梯形或者開個(gè)缺口，反了不容易插進(jìn)，對于一些工控類產(chǎn)品，只提供接線端子的方式...
功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力，特別是在...功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來提高器件的可...
兩種電路相比較，主要有以下區(qū)別： NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on； N...兩種電路相比較，主要有以下區(qū)別： NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on； NMOS型穩(wěn)壓電路所需的輸入輸出壓差小于PMOS型的輸入輸出壓差；
