KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進(jìn)的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進(jìn)的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化 堅(jiān)固的多晶硅柵極工藝
1.如果使用過(guò)溫保護(hù)功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時(shí)需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用過(guò)溫保護(hù)功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時(shí)需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用過(guò)溫保護(hù)，R3接入1k左右電阻，同時(shí)RNTC、R4為懸空狀態(tài)。
U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候...U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候，U相對(duì)應(yīng)的自舉電路電容是在充電的，此時(shí)UGH的控制腳UH為1，將UGH拉在GND上，保證上...
當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0...當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時(shí)Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
當(dāng)KEY輸出為低電平時(shí)，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導(dǎo)通。因?yàn)镼1不導(dǎo)通，所以Q2的柵...當(dāng)KEY輸出為低電平時(shí)，Q1的柵源電壓Vgs=0，Q1不導(dǎo)通。因?yàn)镼1不導(dǎo)通，所以Q2的柵源之間電壓相等，所以Q2也不導(dǎo)通，所示VOUT沒有輸出。
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