對(duì)于大部分應(yīng)用,都是通過(guò)間接測(cè)量電阻兩端的壓降來(lái)獲取待測(cè)電路電流大小的,如...對(duì)于大部分應(yīng)用,都是通過(guò)間接測(cè)量電阻兩端的壓降來(lái)獲取待測(cè)電路電流大小的,如下圖所示。在要求不高的情況下,電流檢測(cè)電路可以通過(guò)運(yùn)放放大轉(zhuǎn)換成電壓,反推算負(fù)...
這一類的電路通常用于低成本取得非隔離的小電流電源。它的輸出電壓通常可在幾伏...這一類的電路通常用于低成本取得非隔離的小電流電源。它的輸出電壓通常可在幾伏到三幾十伏,取決于所使用的齊納穩(wěn)壓管。所能提供的電流大小正比于限流電容容量。
降壓變換器原理圖如圖1所示,當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),加在電感兩端的電壓為(Vi-Vo),此...降壓變換器原理圖如圖1所示,當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),加在電感兩端的電壓為(Vi-Vo),此時(shí)電感由電壓(Vi-Vo)勵(lì)磁,電感增加的磁通為:(Vi-Vo)*Ton。
m7二極管,其尺寸都是46MIL,是一小電流、貼片二極管。M7的浪涌電流Ifsm為30A,...m7二極管,其尺寸都是46MIL,是一小電流、貼片二極管。M7的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為5uA,其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度。M7采用GPP芯片材質(zhì),里面有...
KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)...KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)專門(mén)定制,具有很低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效,高功率密度等提...