KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS...KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；優(yōu)秀的Qg...
混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、...混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過金屬線或焊接連接這些元件以實(shí)現(xiàn)功能電路。 混合集成...
當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí)，對(duì)應(yīng)其開通過程（反之為關(guān)斷過程...當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí)，對(duì)應(yīng)其開通過程（反之為關(guān)斷過程）。在放大區(qū)內(nèi)，由于米勒效應(yīng)，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充...
KNH2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，低RDS（...KNH2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，低RDS（ON）的高密度電池設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低...
當(dāng)PMOS工作時(shí)，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子...當(dāng)PMOS工作時(shí)，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子，電流的實(shí)際方向與電子流動(dòng)方向相反。漏極通常接較低的電位（例如接地或負(fù)電源），...
