典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET...典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET中，通常還有一個(gè)額外的區(qū)域，稱(chēng)為體區(qū)（Bulk或Body），這個(gè)區(qū)域與源極相連。由于MO...
場(chǎng)效應(yīng)管-FET和MOS管-MOSFET在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面有所區(qū)別。場(chǎng)效應(yīng)管(FE...場(chǎng)效應(yīng)管-FET和MOS管-MOSFET在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面有所區(qū)別。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一個(gè)更廣泛的概念，包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOS-FE...
MOS管，全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E...MOS管，全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，MOSFET。MOS管是一種半導(dǎo)體器件，工作原理是基于其內(nèi)部的絕緣柵...
速度飽和效應(yīng)：在強(qiáng)電場(chǎng)環(huán)境下，載流子的漂移速度隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加的幅度...速度飽和效應(yīng)：在強(qiáng)電場(chǎng)環(huán)境下，載流子的漂移速度隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而增加的幅度逐漸降低，并最終趨于飽和狀態(tài)的現(xiàn)象。
PC817光耦合器，由一個(gè)紅外發(fā)射二極管（IRLED）和一個(gè)與其光耦合的光電晶體管組...PC817光耦合器，由一個(gè)紅外發(fā)射二極管（IRLED）和一個(gè)與其光耦合的光電晶體管組成，具有隔離、放大和變換信號(hào)等功能，在電子電路中應(yīng)用廣泛。PC817利用光耦合效應(yīng)...
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