柵極（Gate,G）：控制MOSFET導通或截止的引腳。在NMOS中，當柵極電壓高于源極電...柵極（Gate,G）：控制MOSFET導通或截止的引腳。在NMOS中，當柵極電壓高于源極電壓一定閾值（Vth）時，MOSFET開始導通；在PMOS中，則是當柵極電壓低于源極電壓一定...
全橋逆變器使用四個開關管，而半橋逆變器使用兩個開關管。和半橋相比，全橋的開...全橋逆變器使用四個開關管，而半橋逆變器使用兩個開關管。和半橋相比，全橋的開關管數(shù)量增加了一倍，但是在相同的開關電流下，全橋電路的輸出功率是半橋的兩倍。
如果沒有二極管，?當開關管導通時，?電容的放電路徑會增加，?導致能量的不必...如果沒有二極管，?當開關管導通時，?電容的放電路徑會增加，?導致能量的不必要損失，?降低電路效率。?二極管的加入有效地阻止了這種能量損失，?提高了電路的...
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中，當導電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當導電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出現(xiàn)一些效應。這些效應主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低，載流子表面散射...
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