KNY3103A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導通電阻RDS(on)僅為1...KNY3103A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導通電阻RDS(on)僅為1.9mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；快速切換、100%雪崩測試、允許...
當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下...當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升...
場效應管有三種組態放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路...場效應管有三種組態放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。 （1）共源放大器 如圖所示，它相當于晶體三極管中的共發射極放大器，是一種常...
KPE4703A場效應管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色...KPE4703A場效應管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色的RDS(ON)和低柵極電荷，有效降低電路中的開關損耗，提高整體效率；KPE4703A采用先進...
雙極結型晶體管，外部引出三個極：集電極，發射極和基極，集電極從集電區引出，...雙極結型晶體管，外部引出三個極：集電極，發射極和基極，集電極從集電區引出，發射極從發射區引出，基極從基區引出（基區在中間）；BJT有放大作用，主要依靠它的...
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