勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的...勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會有部分擴散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會形成空間電荷區(qū)（該空...
hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開...hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，?低柵極電荷有助于降低開關(guān)損耗，性能優(yōu)越；1...
低頻電路：通常工作在幾十赫茲到幾千赫茲的頻率范圍內(nèi)，最多可以達到20kHz。 ...低頻電路：通常工作在幾十赫茲到幾千赫茲的頻率范圍內(nèi)，最多可以達到20kHz。 高頻電路：工作頻率在幾千赫茲到幾兆赫茲甚至更高，通常達到GHz級別。
當PMOS管導(dǎo)通時，高頻變壓器原邊（Np）的上端是正電壓，下端是負電壓。副邊（N...當PMOS管導(dǎo)通時，高頻變壓器原邊（Np）的上端是正電壓，下端是負電壓。副邊（Ns）則是上端負電壓，下端正電壓。這時候，整流二極管是截止的，負載所需的能量由輸出...
KNP2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNP2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低電流以減少開關(guān)損耗，提高效率；具有卓越的電氣參數(shù)...
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