高頻電路mos,2908場效應管,KNP2908D參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-20
MOS管輸入阻抗高、開關速度快，成為高頻電路設計的核心器件。在射頻放大器中，增強型MOS管的柵極電容僅約1-5pF，配合低至10nH的引線電感，可實現GHz級別的信號處理能力。以某5G基站功放電路為例，采用LDMOS器件時，其輸出功率密度可達30W/mm，相比傳統雙極型晶體管提升約5倍。
KNP2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗，低電流以減少開關損耗，提高效率；具有卓越的電氣參數，高雪崩電流，能夠承受高功率負載；無鉛設備，綠色環保；產品采用專有的新型技術，具有更高的功率密度、效率和耐用性、更優的導通電阻和品質因數，廣泛應用于電源切換應用程序、硬交換和高頻電路、不間斷電源等；封裝形式：TO-220。
漏源電壓：80V
漏極電流：130A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：500A
單脈沖雪崩能量：900MJ
功率耗散：246W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：110nC
輸入電容：4500PF
輸出電容：640PF
反向傳輸電容：230PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：16ns
下降時間：52ns
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