KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關損耗，開關速度快等優點，KIA2906A能夠完美匹配hy1906...
KIA50N03A場效應管是采用KIA半導體先進工藝制造，具有較低的導通電阻、優越的開...KIA50N03A場效應管是采用KIA半導體先進工藝制造，具有較低的導通電阻、優越的開關性能、極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導通損耗，卓越高效。KIA50N03A可完...
MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式：SOT-23，?可替...MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式：SOT-23，?可替代SI2300以及NCP1117?，KIA2300具有較低的導通電阻、優越的開關性能、可最大限度地...
KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式：TO-252，能夠匹配代換svt035r5nd和nce03h11k型號參數場效應管。
6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可最...6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。K...
KIA半導體KCX3008A型號場效應管能夠完美匹配crss052n08n型號參數場效應管。KCX...KIA半導體KCX3008A型號場效應管能夠完美匹配crss052n08n型號參數場效應管。KCX3008A漏源擊穿電壓85V, 漏極電流最大值為120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用...
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