我們公司設計的超結MOS管是用先進的耐壓原理和有話的設計結構，全新600V-900V系...我們公司設計的超結MOS管是用先進的耐壓原理和有話的設計結構，全新600V-900V系列產品為系統(tǒng)應用提供充足的耐壓余量，簡化系統(tǒng)設計難度，提高系統(tǒng)可靠性。滿足客戶...
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都...
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效...金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加...
12V鋰電池保護板，16串磷酸鐵鋰電池保護板，18650電池保護板，線路板廠在雙面線...12V鋰電池保護板，16串磷酸鐵鋰電池保護板，18650電池保護板，線路板廠在雙面線路板設計時都會優(yōu)先考慮鋰電池保護板工作原理，電池之都帶大家看一個單節(jié)電芯的鋰電...
MOS管引腳圖、MOS管引腳區(qū)分、柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳...MOS管引腳圖、MOS管引腳區(qū)分、柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。漏極D、...
電阻是描述導體導電性能的物理量，用R表示。電阻由導體兩端的電壓U與通過導體的...電阻是描述導體導電性能的物理量，用R表示。電阻由導體兩端的電壓U與通過導體的電流I的比值來定義，即R=U/I。所以，當導體兩端的電壓一定時，電阻愈大，通過的電流...
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