提到互聯(lián)網(wǎng)+足球，我們首先想到互聯(lián)網(wǎng)+是什么？怎么去理解和量化它。接下來(lái)我們...提到互聯(lián)網(wǎng)+足球，我們首先想到互聯(lián)網(wǎng)+是什么？怎么去理解和量化它。接下來(lái)我們一起看看互聯(lián)網(wǎng)+的概述。互聯(lián)網(wǎng)+是指創(chuàng)新2.0下的互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新業(yè)態(tài)，也是知識(shí)社會(huì)...
了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;...了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)...
硬件電路設(shè)計(jì)的一般分為設(shè)計(jì)需求分析、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、工藝文件處理等幾...硬件電路設(shè)計(jì)的一般分為設(shè)計(jì)需求分析、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、工藝文件處理等幾個(gè)階段，設(shè)計(jì)過(guò)程中的每一個(gè)細(xì)節(jié)都可能成為導(dǎo)致設(shè)計(jì)成功與失敗的關(guān)鍵。隨著集成電路...
MOS管 FDD8870特征： rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4....MOS管 FDD8870特征： rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A 高性能溝槽技術(shù)，極低RDS（開(kāi)） 低柵電荷 高功率和電流處理能力
鉭電容是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品，是1956年由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室...鉭電容是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品，是1956年由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異。鉭電容器外形多種多樣，并制成適于表面貼裝的小型和...
本文介紹電子元件名稱大全圖，電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)，作為一位電子元器件的采購(gòu)，...本文介紹電子元件名稱大全圖，電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)，作為一位電子元器件的采購(gòu)，不單單是需要靈活的業(yè)務(wù)能力，還更需要掌握電子元器件的一些硬件的東西。如電子元器...
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