MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)...MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。一般情況下普遍...
隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電...隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都...
三極管之所以運(yùn)用如此廣泛，其主要原因在于它可以通過小電流控制大電流。形象地...三極管之所以運(yùn)用如此廣泛，其主要原因在于它可以通過小電流控制大電流。形象地說就是基極其是是一個(gè)閥門開關(guān)，閥門開關(guān)控制的是集電極到發(fā)射極之間的電流大小，而...
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金...功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的...
V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）知識(shí)，功率MOS管通常采用V型配置，如圖所示。這就...V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）知識(shí)，功率MOS管通常采用V型配置，如圖所示。這就是為什么該元器件有時(shí)被稱為V-MOS管或V-FET。功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣...
目前工業(yè)傳動(dòng)通常採(cǎi)用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近開發(fā)的碳...目前工業(yè)傳動(dòng)通常採(cǎi)用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近開發(fā)的碳化硅MOSFET元件，為這個(gè)領(lǐng)域另外開闢出全新的可能性。以反相器為基礎(chǔ)的傳動(dòng)應(yīng)用，最...
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