MOS管150V130A內(nèi)阻低 KNP2915A-特性： RDS(ON)= 10mΩ( typ.)@ VGS=10V 采用...MOS管150V130A內(nèi)阻低 KNP2915A-特性： RDS(ON)= 10mΩ( typ.)@ VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)的壕溝技術(shù) 極低通阻RDS(on) 優(yōu)秀QgxRDS()產(chǎn)品(FOM) 根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)合...
電子產(chǎn)品在生產(chǎn)的時(shí)候都會(huì)用到MOS管來(lái)精準(zhǔn)控制電流。在MOS管實(shí)際使用的過(guò)程中,...電子產(chǎn)品在生產(chǎn)的時(shí)候都會(huì)用到MOS管來(lái)精準(zhǔn)控制電流。在MOS管實(shí)際使用的過(guò)程中,MOS管既可用于放大電流，又能作為電子開關(guān)。由于應(yīng)用廣泛，已然成為電子設(shè)備必不可少...
MOS管120A85V KCX3008A參數(shù)資料 特征： 使用先進(jìn)的SGT技術(shù) 極低的RDS(ON).t...MOS管120A85V KCX3008A參數(shù)資料 特征： 使用先進(jìn)的SGT技術(shù) 極低的RDS(ON).typ=4.5mΩ@vgs= 10V 出色的柵極電荷x RDS(on)產(chǎn)品(FOM)
結(jié)溫（Junction Temperature）是電子設(shè)備中半導(dǎo)體的實(shí)際工作溫度。在操作中，它...結(jié)溫（Junction Temperature）是電子設(shè)備中半導(dǎo)體的實(shí)際工作溫度。在操作中，它通常較封裝外殼溫度（Case Temperature）高。溫度差等于其間熱的功率乘以熱阻。
80V80A MOS管可替代 KIA75N75資料 特征： RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)...80V80A MOS管可替代 KIA75N75資料 特征： RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V 提供無(wú)鉛環(huán)保設(shè)備 低RDS-ON可將傳導(dǎo)損耗降至最低 大雪崩電流
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的一線IC設(shè)計(jì)公司已通知客戶，從2022年第一季度...據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的一線IC設(shè)計(jì)公司已通知客戶，從2022年第一季度起將進(jìn)一步提價(jià)。其他設(shè)計(jì)公司也在尋求未來(lái)3-6個(gè)月內(nèi)提高芯片價(jià)格，或?qū)⒂诿髂觊_始...
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