pc電源,pd電源MOS管KNX4890A采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0...pc電源,pd電源MOS管KNX4890A采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，RDS（ON）=1.2Ω（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗、快速恢復(fù)體...
KIA78L08是單片固定電壓調(diào)節(jié)器集成電路。它適用于需要高達(dá)100mA供電電流的應(yīng)用...KIA78L08是單片固定電壓調(diào)節(jié)器集成電路。它適用于需要高達(dá)100mA供電電流的應(yīng)用。KIA78l08三端穩(wěn)壓管其特點(diǎn)是輸出電流高達(dá)100mA，無(wú)需外部零件，內(nèi)置熱過(guò)載停機(jī)保護(hù)...
PD電源熱銷MOS管KNX3403B是一種N溝道增強(qiáng)型功率Mosfet場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使用KIA的...PD電源熱銷MOS管KNX3403B是一種N溝道增強(qiáng)型功率Mosfet場(chǎng)效應(yīng)晶體管，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)。KNX3403B經(jīng)過(guò)改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)特別定制，漏源擊穿電壓30...
KNK74120A場(chǎng)效應(yīng)管采用高級(jí)平面工藝，漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，RDS（O...KNK74120A場(chǎng)效應(yīng)管采用高級(jí)平面工藝，漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗以及加固多晶硅柵極結(jié)...
美國(guó)康奈爾大學(xué)科學(xué)家研制出一款新型鋰電池，可在5分鐘內(nèi)完成充電，速度快于市...美國(guó)康奈爾大學(xué)科學(xué)家研制出一款新型鋰電池，可在5分鐘內(nèi)完成充電，速度快于市場(chǎng)上其他同類電池，且歷經(jīng)數(shù)千次充放電循環(huán)后仍能保持性能穩(wěn)定，有望緩解電動(dòng)車駕駛...
電源模塊熱銷KNX42120A高壓場(chǎng)效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)1200V和漏極電流可達(dá)3...電源模塊熱銷KNX42120A高壓場(chǎng)效應(yīng)管具有漏源擊穿電壓高達(dá)1200V和漏極電流可達(dá)3A的特點(diǎn)，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；還具有低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，低反向...
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