KIA7610A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用了先進(jìn)...KIA7610A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用了先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻，提供杰出的性能、結(jié)工作溫度175℃，具備較高...
KIA6410A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=1...KIA6410A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導(dǎo)通電阻特性，同時(shí)還具備改進(jìn)的dv/dt能力，確保快速切換的穩(wěn)定性、以及100%的...
KNX2804C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，具有...KNX2804C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻RDS（接通），能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電路控制；2804場(chǎng)效應(yīng)管RDS（ON）為3.0...
KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用了先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，R...KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用了先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V時(shí)）；封裝形式：TO-220、TO-263。
1n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達(dá)650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達(dá)650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅(jiān)固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進(jìn)的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時(shí)的開態(tài)電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達(dá)600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時(shí)的開態(tài)電阻僅為9.3?，確保穩(wěn)定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC，在控制電荷時(shí)更加高效、還具備高...
