MOS管選型規(guī)范在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本...MOS管選型規(guī)范在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊...
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的...MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。 如果不考慮紋波和...
MOS管和三極管原理圖并不復(fù)雜，但是分開講述細(xì)節(jié)，反而不如對(duì)比起來容易理解。...MOS管和三極管原理圖并不復(fù)雜，但是分開講述細(xì)節(jié)，反而不如對(duì)比起來容易理解。這里用一張圖，讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。
MOS管損壞有五種原因（1）雪崩破壞（2）器件發(fā)熱損壞（3）內(nèi)置二極管破壞、（4...MOS管損壞有五種原因（1）雪崩破壞（2）器件發(fā)熱損壞（3）內(nèi)置二極管破壞、（4）由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞（5）柵極電涌、靜電破壞。如果在漏極-源極間外加超出器件額...
以840的參數(shù)計(jì)算，假定門極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電...以840的參數(shù)計(jì)算，假定門極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時(shí)間常數(shù)為63us。但是，不是經(jīng)過一個(gè)時(shí)間常數(shù)之后MOS管就關(guān)斷了，而是門極電壓...
判斷場(chǎng)效應(yīng)管工作區(qū)域，下面先講述MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的四個(gè)區(qū)域：1）可變電阻區(qū)（也...判斷場(chǎng)效應(yīng)管工作區(qū)域，下面先講述MOS管場(chǎng)效應(yīng)管的四個(gè)區(qū)域：1）可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)）：滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷...
