100V130A|KNX2910A中文資料-特性，RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度電池設(shè)...100V130A|KNX2910A中文資料-特性，RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度電池設(shè)計(jì)，超低導(dǎo)通電阻，100%雪崩測(cè)試，無(wú)鉛環(huán)保器件(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))
MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)，分析:功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承...MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)，分析:功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理...
PWM驅(qū)動(dòng)MOS管H橋電路：H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴?..PWM驅(qū)動(dòng)MOS管H橋電路：H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰，故得名與“H橋”。4個(gè)三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：...
華潤(rùn)微CRSS042N10N參數(shù)|變頻器,鋰電池保護(hù)板專(zhuān)用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET ...華潤(rùn)微CRSS042N10N參數(shù)|變頻器,鋰電池保護(hù)板專(zhuān)用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m?, 120A,CRSS042N10N參數(shù)-特性：使用CRM(CQ)先進(jìn)的SkyMOS1技術(shù),極低通阻...
CRSS037N10N（華潤(rùn)微）大功率MOS|中文參數(shù)詳情-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 10...CRSS037N10N（華潤(rùn)微）大功率MOS|中文參數(shù)詳情-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A,CRSS037N10N（華潤(rùn)微）-產(chǎn)品特點(diǎn)：使用CRM(CQ)先進(jìn)的SkyMOS1技術(shù),...
NCE n通道超級(jí)溝槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：該系列設(shè)備使用超級(jí)戰(zhàn)壕II技...NCE n通道超級(jí)溝槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：該系列設(shè)備使用超級(jí)戰(zhàn)壕II技術(shù)，即獨(dú)特優(yōu)化，提供最有效的高頻切換性能。傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)電源由于極低的組合，損失最...
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