MOS管KIA9120A，200V40A資料-特性：新平面專利技術(shù)，RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=...MOS管KIA9120A，200V40A資料-特性：新平面專利技術(shù)，RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=10V，低門電荷，減小開(kāi)關(guān)損耗，快速恢復(fù)體二極管
無(wú)源器件-電阻:電阻是模擬電路的最基本的元件，在集成電路中有多種設(shè)計(jì)和制造方...無(wú)源器件-電阻:電阻是模擬電路的最基本的元件，在集成電路中有多種設(shè)計(jì)和制造方法，并有無(wú)源電阻與有源電阻之分。電阻的大小一般以方塊數(shù)來(lái)表示
尖峰吸收電路:開(kāi)關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容,寄生電容Cp一般都與開(kāi)關(guān)元...尖峰吸收電路:開(kāi)關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容,寄生電容Cp一般都與開(kāi)關(guān)元件或二極管并聯(lián)，而寄生電感L通常與其串聯(lián)。由于這些寄生電容與電感的作用，開(kāi)關(guān)元...
電感與MOS管如何合作:電容和電阻這兩種板卡上常見(jiàn)的電子元件，其實(shí)，在CPU或顯...電感與MOS管如何合作:電容和電阻這兩種板卡上常見(jiàn)的電子元件，其實(shí)，在CPU或顯卡的供電電路中,除了它們之外還有兩種電子元件是必不可少的，那就是電感線圈(簡(jiǎn)稱電...
MOS管反峰及RCD吸收回路:對(duì)于開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō),在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面...MOS管反峰及RCD吸收回路:對(duì)于開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō),在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即...
MOSFET的驅(qū)動(dòng)及吸收電路-絕緣柵型電力場(chǎng)效應(yīng)管(電力MOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)...MOSFET的驅(qū)動(dòng)及吸收電路-絕緣柵型電力場(chǎng)效應(yīng)管(電力MOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的電壓控制單級(jí)型晶體管。具有工作頻率高，開(kāi)關(guān)速度快,以及驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等特性,常...
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