場效應管輸入前級放大器：該TW-J26SN1前級放大器的輸入端采用單端1型場效應管做...場效應管輸入前級放大器：該TW-J26SN1前級放大器的輸入端采用單端1型場效應管做輸入級,單管輸入可獲對比差分輸入更低的噪音,更大的動態(tài)范圍, 接近電子管的輸入特性...
MOS變?nèi)莨芨攀觯篗OS變?nèi)莨苁前袽OSFET標準管或稍加改進后的MOS管的源極、漏極以...MOS變?nèi)莨芨攀觯篗OS變?nèi)莨苁前袽OSFET標準管或稍加改進后的MOS管的源極、漏極以及襯底連接起來，使它變成一個兩端器件;所利用的電容是柵極和源極之間的電容。電容的...
MOS變?nèi)莨芙馕觯弘S著移動通信技術的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視...MOS變?nèi)莨芙馕觯弘S著移動通信技術的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關鍵。過去的VC...
MOSFET/IGBT的開關損耗測驗是電源調(diào)試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損...MOSFET/IGBT的開關損耗測驗是電源調(diào)試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳...
MOS管速度飽和:一般而言，載流子速度正比于電場，斜率是載流子的遷移率；可當延...MOS管速度飽和:一般而言，載流子速度正比于電場，斜率是載流子的遷移率；可當延溝道電場達到臨界值（某個根據(jù)散射效應計算的值）時，載流子的速度將會趨于飽和，稱...
MOS管-熱插拔：當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)...MOS管-熱插拔：當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類似，此...
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