KIA6706A 6706A中文資料 6706A引腳圖 6706A電路原理 KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-06-28
KIA6706A是一種高細胞密度溝槽N-ch MOSFETs，它提供了優良的RDSON和門電荷為大多數同步降壓變換器的應用。KIA6706A滿足碳氫化合物和綠色產品要求。
?
RDS(on)=7.5mΩ(鍵入)@VGS=10V
超低門電荷
綠色設備可用
Cdv/dt效應下降
先進的高密度槽道技術
產品型號：KIA6706A
工作方式：18A/60V
漏源電壓：60V
柵源電壓：±20A
漏電流連續：18A
脈沖漏極電流：75A
雪崩電流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
熱電阻：45℃/V
漏源擊穿電壓：60V
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：3307PF
輸出電容：201PF
上升時間：41.2ns
封裝形式：SOP-8
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
