場效應(yīng)管導(dǎo)通條件

場效應(yīng)管導(dǎo)通條件與截止由柵源電壓來控制，對于增強(qiáng)型場效應(yīng)管來說，N溝通的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝通的管子則加反向電壓。一般2V ~4V就可以了。

但是，場效應(yīng)管分為增強(qiáng)型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強(qiáng)型的管子是需要加電壓才能導(dǎo)通的，而耗盡型管子本來就處于導(dǎo)通狀態(tài)，加?xùn)旁措妷菏菫榱耸蛊浣刂埂?/span>

開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷，三極管和場效應(yīng)管工作有三種狀態(tài)，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱之為開關(guān)電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關(guān)；以晶體管飽和，發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于Ov時(shí)表示開。

開關(guān)電路用于數(shù)字電路時(shí)，輸出電位接近Ov時(shí)表示0，輸出電位接近電源電壓時(shí)表示1。所以數(shù)字集成電路內(nèi)鄯的晶體管都工作在開關(guān)狀態(tài)。場效應(yīng)管按溝通分可分為N溝通和P溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。

按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道，其次是增強(qiáng)型的P溝通，結(jié)型蓄和耗盡型蓄幾乎不用。場效應(yīng)昌體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，棚壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。

什么叫場效應(yīng)管？

FET是Field-Effect-Transistor的縮寫，即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣，但不能說現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。

三極管的導(dǎo)通條件

三極管的導(dǎo)通條件是：發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓。發(fā)射結(jié)加正向電壓，就是基極和發(fā)射極之間所加電壓Ube，是按箭頭的指向加PN結(jié)的電壓，即硅管加07Vj鍺管加口2V。集電結(jié)加反向電壓，就是在集電結(jié)的PN結(jié)上加反壓Ube才能把基區(qū)的電荷吸引過來。此電壓較高，在手機(jī)中一般為1-3.6V。

PNP三極管的導(dǎo)通電壓是Ue>Ub>Uc；NPN三極管為Uc>Ub>Ue。

對于NPN型管子．是C點(diǎn)電位>B點(diǎn)電位>E點(diǎn)電位．對PNP型管子．是E點(diǎn)電位>B點(diǎn)電位>C點(diǎn)電位．這是放大的條件要想使管子飽和導(dǎo)通．則應(yīng)該(NPN型)Ub>Ue．Ub>Uc．(PNP型)Ue>Ub．Uc>Ub

場效應(yīng)管開關(guān)工作狀態(tài)

FET類型	符號	工作條件	開關(guān)狀態(tài)	備注
N溝道結(jié)型		UGS=0	D、S導(dǎo)通
		UGS	D、S斷開
P溝道結(jié)型		UGS=0	D、S導(dǎo)通
		UGS>UGS(OFF)>0	D、S斷開
NMOS耗盡型		UGS=0	D、S導(dǎo)通	襯底與源極S相連
		UGS>UGS(OFF)>0	D、S斷開
PMOS耗盡型		UGS=0	D、S導(dǎo)通
		UGS	D、S斷開
NMOS增強(qiáng)型		UGS=0	D、S斷開
		UGS>0	D、S導(dǎo)通
PMOS增強(qiáng)型		UGS=0	D、S斷開
		UGS<0	D、S導(dǎo)通