KIA原廠家 KIA23P10A P溝道 -23A /-100V PDF文件下載-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-03-12
KIA23P10A采用先進的溝槽MOSFET技術(shù)，提供優(yōu)良的R DS（上）和門在各種其他應(yīng)用中使用的電荷。的kia23p10a符合ROHS和格林100% EAS產(chǎn)品的要求，保證全功能可靠性的批準(zhǔn)
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v
100% EAS保障
綠色的可用設(shè)備
超低柵電荷
優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減
先進的高密度溝槽技術(shù)
產(chǎn)品型號：KIA23P10A
工作方式：-23A/-100V
漏源電壓：-100V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：-23A
脈沖漏極電流：-75A
雪崩電流：18.9A
雪崩能量：157.2mJ
耗散功率：96W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：-100V
溫度系數(shù)：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：-1.2V
輸入電容：3029PF
輸出電容：129PF
上升時間：53.6ns
封裝形式：TO-252
 |
KIA23P10A |
| 產(chǎn)品編號 | KIA23P10A -23A/-100V |
| 適用范圍 |
主要用于在無線的其他應(yīng)用程序的各種柵極電荷。kia23p10a符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求，保證100% EAS全功能可靠性的批準(zhǔn)。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 78m?（典型值）@ V GS = 10v 100% EAS保障 綠色的可用設(shè)備 超低柵電荷 優(yōu)良的CDV / dt效應(yīng)遞減 先進的高密度溝槽技術(shù) |
| 封裝形式 | TO-252 |
| PDF文件 |
 【直接在線預(yù)覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.52yitang.com |
| PDF總頁數(shù) | 總4頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8029
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”。
關(guān)注「KIA半導(dǎo)體」，做優(yōu)秀工程師！
長按二維碼識別關(guān)注
閱讀原文可一鍵關(guān)注+技術(shù)總匯
<ul id="ou8ay"></ul>