碳化硅二極管的優勢

碳化硅JFET有著高輸入阻抗、低噪聲和線性度好等特點，是目前發展較快的碳化硅器件之一，并且率先實現了商業化。與MOSFET器件相比，JFET器件不存在柵氧層缺陷造成的可靠性問題和載流子遷移率過低的限制，同時單極性工作特性使其保持了良好的高頻工作能力。另外，JFET器件具有更佳的高溫工作穩定性和可靠性。碳化硅JFET器件的門極的結型結構使得通常JFET的閾值電壓大多為負，即常通型器件，這對于電力電子的應用極為不利，無法與目前通用的驅動電路兼容。美國Semisouth公司和Rutgers大學通過引入溝槽注入式或者臺面溝槽結構(TIVJFET)的器件工藝，開發出常斷工作狀態的增強型器件。但是增強型器件往往是在犧牲一定的正向導通電阻特性的情況下形成的，因此常通型(耗盡型)JFET更容易實現更高功率密度和電流能力，而耗盡型JFET器件可以通過級聯的方法實現常斷型工作狀態。級聯的方法是通過串聯一個低壓的Si基MOSFET來實現。級聯后的JFET器件的驅動電路與通用的硅基器件驅動電路自然兼容。級聯的結構非常適用于在高壓高功率場合替代原有的硅IGBT器件，并且直接回避了驅動電路的兼容問題。

目前，碳化硅JFET器件以及實現一定程度的產業化，主要由Infineon和SiCED公司推出的產品為主。產品電壓等級在1200V、1700V，單管電流等級最高可以達20A，模塊的電流等級可以達到100A以上。2011年，田納西大學報到了50kW的碳化硅模塊，該模塊采用1200V/25A的SiC  JFET并聯，反并聯二極管為SiCSBD。2011年，GlobalPowerElectronics研制了使用SiCJFET制作的高溫條件下SiC三相逆變器的研究，該模塊峰值功率為50kW(該模塊在中等負載等級下的效率為98.5%@10kHz、10kW，比起Si模塊效率更高。2013年Rockwell  公司采用600V /5A  MOS增強型JFET以及碳化硅二極管并聯制作了電流等級為25A的三相電極驅動模塊，并與現今較為先進的IGBT、pin二極管模塊作比較：在同等功率等級下(25A/600V)，面積減少到60%，該模塊旨在減小通態損耗以及開關損耗以及功率回路當中的過壓過流。

碳化硅（SiC）是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。

與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：

高壓特性

碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍

碳化硅肖特基管耐壓可達2400V。

碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏，且通態電阻并不很大。

高頻特性

高溫特性

在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對于以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。

目前,低功耗的碳化硅器件已經從實驗室進入了實用器件生產階段。目前碳化硅圓片的價格還較高,其缺陷也多。通過不斷的研究開發,預計到2010年前后,碳化硅器件將主宰功率器件的市場。但實際上并非如此。

最受關注的碳化硅MOS

SiC器件分類

SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。

在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對于以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。

碳化硅MOS的優勢

硅IGBT在一般情況下只能工作在20kHz以下的頻率。由于受到材料的限制，高壓高頻的硅器件無法實現。碳化硅MOSFET不僅適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍，同時具備單極型器件的卓越開關性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在開關電路中不存在電流拖尾的情況具有更低的開關損耗和更高的工作頻率。

20kHz的碳化硅MOSFET模塊的損耗可以比3kHz的硅IGBT模塊低一半， 50A的碳化硅模塊就可以替換150A的硅模塊。顯示了碳化硅MOSFET在工作頻率和效率上的巨大優勢。

碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規格硅基MOSFET的5%。對于橋式電路來說（特別當LLC變換器工作在高于諧振頻率的時候），這個指標非常關鍵，它可以減小死區時間以及體二極管的反向恢復帶來的損耗和噪音，便于提高開關工作頻率。

碳化硅MOS的結構

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。另一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。

其溝槽星結構的優勢如下：平面vs溝槽

SiC-MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發揮SiC的特性。

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