KIA16N50參數(shù)指標

這種功率MOSFET是使用起亞先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)的。這種先進的技術經(jīng)過特別定制，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關模式電源、基于半橋拓撲。

特征

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低柵極電荷(典型45nC )

快速切換能力

雪崩能量

改進的數(shù)字電視/數(shù)字電視能力

參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA16N50

工作方式：16A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：16A

脈沖漏極電流：64A

雪崩能量：853mJ

耗散功率：38.5W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數(shù)：0.6V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2200PF

輸出電容：350PF

上升時間：170 ns

封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P

	KIA16N50/HF/HH/HM
產(chǎn)品編號	KIA16N50（16A 500V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET是使用起亞先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)的。這種先進的技術經(jīng)過特別定制，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。
產(chǎn)品特征	RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V 低柵極電荷(典型45nC ) 快速切換能力雪崩能量改進的數(shù)字電視/數(shù)字電視能力
適用范圍	主要適用于高效率開關模式電源、基于半橋拓撲
封裝形式	TO-220F、TO-3P、TO-247
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.kiaic.com
PDF頁總數(shù)	總6頁