2N60現貨供應商 KIA2N60中文資料 PDF文件 2N60參數資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-27
KIA2N60參數
KIA2N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序。
KIA2N60特征
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型9NC）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA2N60
工作方式：2A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：2.0*A
脈沖漏極電流：8*A
雪崩能量：12mJ
耗散功率：44W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：200 PF
輸出電容：20 PF
上升時間：25 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
 |
KIA2N60（2A/600V） |
| 產品編號 | KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓，高速功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序 |
| 產品特征 |
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型9NC） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于功率開關應用，如開關穩壓器，開關變換器，螺線管，電機驅動器，繼電器驅動程序 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.52yitang.com |
| PDF頁數 | 總6頁數 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
<ul id="ou8ay"></ul>