350v場效應管,6035場效應管,to220,KIA6035AP參數-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-10-22
KIA6035AP場效應管漏源擊穿電壓350V,漏極電流11A,采用先進的平面條紋DMOS技術制造,低導通電阻RDS(開啟) 0.6Ω,有效降低導通狀態電阻,提供卓越的開關性能;并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。還具有低柵極電荷、高耐用性、快速開關能力、指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力,在運行中高效穩定可靠;廣泛應用于高效開關電源,以及基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正系統等;封裝形式:TO-220,散熱良好。
漏源電壓:350V
漏極電流:11A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:36A
雪崩能量單脈沖:423MJ
最大功耗:99W
閾值電壓:2-4V
總柵極電荷:15nC
輸入電容:844PF
輸出電容:162PF
反向傳輸電容:4PF
開通延遲時間:25nS
關斷延遲時間:77nS
上升時間:23.5ns
下降時間:47.5ns
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