電機驅動mos,3010場效應管,to263封裝,?KCB3010A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-30
KCB3010A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，采用先進SGT技術制造，先進的雙溝道技術降低導通損耗、提高開關性能，極低導通電阻RDS(開啟) 4.0mΩ，高效低耗；具有快速切換、低柵極電荷、低反向傳輸電容、雪崩強度高，在各種應用中穩定可靠，適用于電機驅動器和高速開關、鋰電池保護板領域；封裝形式：TO-263，體積小，散熱良好。
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
雪崩能量單脈沖：756.25MJ
總功耗：175W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：89.5nC
輸入電容：6700PF
輸出電容：880PF
反向傳輸電容：145PF
開通延遲時間：32nS
關斷延遲時間：68.5nS
上升時間：55ns
下降時間：31ns
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