充電mos,1000v場效應管,to220f封裝,?KNF41100A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-16
KNF41100A超高壓場效應管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流2A，低導通電阻RDS(開啟) 9.6Ω，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷最小化開關損耗、高效低耗；快速恢復體二極管用于反向電壓保護和續流功能，提高器件的開關速度和效率，穩定可靠，符合RoHS，環保無鉛；廣泛應用于SMPS備用電源、適配器、充電器；封裝形式：TO-220F，散熱出色、適合高功率場景。
漏源電壓：1000V
漏極電流：2A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：8A
雪崩能量單脈沖：80MJ
最大功耗：60W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15nC
輸入電容：370PF
輸出電容：40PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：36nS
上升時間：6ns
下降時間：15ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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