?轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-09-11
輸出特性曲線：N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分。
轉(zhuǎn)移特性曲線：轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1b所示，由于場(chǎng)效應(yīng)管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū))，此時(shí)iD幾乎不隨vDS而變化，即不同的vDS所對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎是重合的，所以可用vDS大于某一數(shù)值(vDS>vGS-VT)后的一條轉(zhuǎn)移特性曲線代替飽和區(qū)的所有轉(zhuǎn)移特性曲線。
轉(zhuǎn)移特性曲線分析
說(shuō)明的是柵極電壓VGS對(duì)ID的控制作用。
從上圖曲線可知：
1、測(cè)試條件：VDS=20V；
2、VGS的開啟電壓VGS（th)，約5V，且隨著溫度的升高而降低；
3、VGS需要達(dá)到10V以上，才能完全導(dǎo)通，達(dá)到其最大標(biāo)稱ID；4、VGS越大，ID才能越大，溫度越高，ID越小；
輸出特性曲線分析
1、夾斷區(qū)（截止區(qū)）
此區(qū)域內(nèi)，VGS未達(dá)到VGS（th)，MOS管不導(dǎo)通，即ID基本為零；
2、可變電阻區(qū)
此區(qū)域內(nèi)，ID-VDS基本維持線性比例關(guān)系，斜率即為MOSFETQ的導(dǎo)通電子Rds(on)。
3、飽和區(qū)
此區(qū)域內(nèi)，ID不再隨著VDS的增大而增大。說(shuō)明ID已經(jīng)飽和了。
4、擊穿區(qū)
此區(qū)域內(nèi)，因VDS過(guò)大，MOSFET被擊穿損壞。
當(dāng)MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí)，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區(qū)和可變電阻區(qū)來(lái)回切換的，在切換過(guò)程中可能會(huì)經(jīng)過(guò)飽和區(qū)。當(dāng)MOSFET工作于飽和區(qū)時(shí)，可以用來(lái)通過(guò)控制VGS的電壓來(lái)控制電流ID，將MOSFET用于實(shí)現(xiàn)上電軟啟動(dòng)電路。
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