nmos電流方向,導通條件詳解-KIA MOS管

nmos電流方向

NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設計（如防反接電路）中可能反向流動（S到D）。

MOS管的導通條件取決于NMOS或PMOS類型和閾值電壓（Vgs（th）），NMOS需滿足Vgs>Vgs(th),PMOS需滿足Vsg>|Vgs(th)|（即Vg<Vs-|Vgs(th)）。

nmos電流方向主要由其物理結構和載流子特性決定：

1.標準導通狀態：當柵源電壓（VGS）超過閾值電壓（Vth）時，電子從源極（S）向漏極（D）移動形成溝道，但傳統電流方向定義為正電荷流動方向，因此電流從漏極流向源極（D→S）。

2.載流子與電流關系：NMOS的載流子為電子，電子流動方向（S→D）與電流方向相反。

特殊電路中的反向電流在部分應用場景中，電流方向可能反轉：

1.防反接電路：當NMOS用于電源防反接保護時，電流可能從源極流向漏極（S→D），此時體二極管導通或MOS管因電位差反向導通。

2.動態電位差影響：若源極電位高于漏極，且VGS滿足導通條件，電流可反向流動（S→D）。

NMOS管的電流方向及影響

在實際應用中，可能會出現電流從源極（S）流向漏極（D）的情況。比如在NMOS管防電源反接電路中，就可能出現這樣的電流流向。

nmos電流方向

當電源正常連接時，電源正極VCC通過后級負載電路與體二極管相連，導致體二極管導通，此時S極電壓約為0.7V（即體二極管導通電壓）。柵極G極接在VCC上，因此Vgs=Vcc-0.7V，這個值大于NMOS管的閾值電壓Vgsth，使得NMOS管得以導通。導通后，其導通壓降幾乎為零，使得Vgs=Vcc，保持MOS管的持續導通狀態。此時電流方向為S到D，與常規D到S方向相反。

電源接反的情況，當電源與地線接反時，會導致VCC與體二極管之間的電壓方向改變，使得體二極管無法正常導通。同時，柵極G極與VCC的連接也受到影響，無法達到NMOS管的閾值電壓Vgsth，導致NMOS管無法導通。因此，電源接反會導致電源通路阻斷，從而影響后級負載的電力供應。

nmos電流方向