6610mos管,?pwm調(diào)光,15a100v場效應管,KNY6610A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-18
KNY6610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，采用先進的平面溝槽技術(shù)制造，極低導通電阻RDS(開啟) 83mΩ，可最大限度地減少導電損失，提供卓越的開關(guān)性能，并能夠承受雪崩和換向模式的高能脈沖，性能優(yōu)越；具有低交叉失真、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；適用于PWM調(diào)光、電源管理、負載開關(guān)等；封裝形式：DFN5*6。
漏源電壓：100V
漏極電流：15A
柵源電壓：±20V
閾值電壓：1.7V
脈沖漏電流：60A
單脈沖雪崩能量：3.5MJ
功率耗散：55W
總柵極電荷：19.2nC
輸入電容：1073PF
輸出電容：57PF
反向傳輸電容：31PF
開通延遲時間：12.6nS
關(guān)斷延遲時間：32.5nS
上升時間：6ns
下降時間：4.3ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>