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應(yīng)用領(lǐng)域

pmos電流方向,pmos工作區(qū)分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-02-20 

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pmos電流方向,pmos工作區(qū)分析-KIA MOS管


pmos電流方向

PMOS的電流方向是從源極(S)流向漏極(D),因為PMOS的溝道由空穴(帶正電)形成,當(dāng)柵極(G)相對于源極(S)為負電壓時,會吸引溝道中的空穴向漏極(D)移動,從而形成從D到S的電流。

pmos電流方向,工作區(qū)

D極(漏極)

作用:漏極是PMOS中的電流流出端。

工作原理:當(dāng)PMOS工作時,電流從S極(源極)流向D極(漏極),由于PMOS以空穴為主要載流子,電流的實際方向與電子流動方向相反。漏極通常接較低的電位(例如接地或負電源),使得電流可以從源極流向漏極。


S極(源極)

作用:源極是PMOS中的電流流入端。

工作原理:源極通常接較高的電位(如正電源),它提供空穴給溝道。PMOS的開關(guān)狀態(tài)主要取決于源極與柵極之間的電壓關(guān)系。當(dāng)源極電位比柵極電位高時,PMOS導(dǎo)通;當(dāng)源極電位與柵極電位差距不夠時,PMOS關(guān)斷。


G極(柵極)

作用:柵極控制PMOS的開關(guān)狀態(tài)。

工作原理:柵極控制溝道的形成。

柵極電壓相對于源極電壓的變化會影響PMOS是否導(dǎo)通:

導(dǎo)通狀態(tài):當(dāng)柵極電壓低于源極電壓時(一般小于一個閾值電壓Vth),PMOS導(dǎo)通,此時空穴在源極和漏極之間形成溝道,電流能夠流過。

關(guān)斷狀態(tài):當(dāng)柵極電壓高于源極電壓(或等于源極電壓),溝道關(guān)閉,PMOS處于關(guān)斷狀態(tài),不導(dǎo)通。


pmos工作區(qū)

1.截止區(qū)(Cutoff Region):Vgs>Vth,PMOS關(guān)斷,沒有導(dǎo)電溝道,Id=0。

2.線性區(qū)(Triode Region):Vgs<Vth 且Vds<Vgs-Vth,PMOS導(dǎo)通,Id ∝ Vds。

3.飽和區(qū)(Saturation Region):Vgs<Vth 且Vds>Vgs-Vth,PMOS導(dǎo)通,Id主要受Vgs控制,與Vds無關(guān)。


如何對NMOS和PMOS的工作區(qū)域進行判斷?

方法一,就是分別進行討論,注意PMOS中的值都是負數(shù):

pmos電流方向,工作區(qū)

方法二,利用絕對值進行判斷:

pmos電流方向,工作區(qū)


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