控制器mos,85a30v,TO252,?KND3403B場效應管參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-15
KND3403B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，經(jīng)過改進的工藝和單元結(jié)構(gòu)特別定制，性能出色；低導通電阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；具有低柵極電荷、低Crss、快速切換、改進的dv/dt能力，高效穩(wěn)定，廣泛應用于控制器、保護板、逆變器中；封裝形式：TO-252，尺寸小，散熱良好。
漏源電壓：30V
漏極電流：85A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：156MJ
最大功耗：71W
柵極閾值電壓：1.3V
輸入電容：2200PF
輸出電容：270 PF
反向傳輸電容：205PF
開通延遲時間：11nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：87ns
下降時間：82ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>